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KSE182STU、MJE182G、2N4923G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSE182STU MJE182G 2N4923G

描述 Trans GP BJT NPN 80V 3A 3Pin TO-126 RailON SEMICONDUCTOR  MJE182G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 12 hFE 新ON SEMICONDUCTOR  2N4923G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 80 V, 3 MHz, 30 W, 3 A, 3 hFE

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

频率 - 50 MHz 3 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 1.00 A

无卤素状态 - - Halogen Free

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 1.5 W 30 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

热阻 - 10℃/W (RθJC) 4.16℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 3A 3A 1A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V 30 @500mA, 1V

最大电流放大倍数(hFE) - - 150

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 30 W

直流电流增益(hFE) - 50 3

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 12500 mW 30000 mW

长度 - 7.8 mm 7.74 mm

宽度 - 3 mm 2.66 mm

高度 - 11.1 mm 11.04 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-225-3

材质 - Silicon Silicon

工作温度 - -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Bulk Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2016/06/20

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - NLR -