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IR21363S、IR21363SPBF、IR21363JPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IR21363S IR21363SPBF IR21363JPBF

描述 MOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC WMOSFET 和 IGBT 栅极驱动器,三相,Infineon### MOSFET 和 IGBT 驱动器,Infineon (International Rectifier)INFINEON  IR21363JPBF  芯片, MOSFET驱动器 3相 高边&低边

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 FET驱动器FET驱动器

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 28 32

封装 SOIC SOIC-28 PLCC-44

电源电压(DC) - 12.0V (min) 12.0V (min)

上升/下降时间 - 125ns, 50ns 125ns, 50ns

输出接口数 - 6 6

输出电压 - - 620 V

输出电流 - - 200 mA

针脚数 - - 44

耗散功率 - 1600 mW 2000 mW

下降时间(Max) - 75 ns 75 ns

上升时间(Max) - 190 ns 190 ns

工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) - 1600 mW 2000 mW

电源电压 - 12V ~ 20V 12V ~ 20V

电源电压(Max) - - 20 V

电源电压(Min) - - 12 V

长度 - 18.1 mm 16.66 mm

宽度 - 7.6 mm 16.66 mm

封装 SOIC SOIC-28 PLCC-44

高度 - 2.33 mm -

工作温度 - -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99