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IR21363S
Infineon 英飞凌 电子元器件分类

MOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W

Summary of Features:

.
Floating channel designed for bootstrap operation
.
Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage, dV/dt immune
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Gate drive supply range from 12 V to 20 V
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Undervoltage lockout for all channels
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Over-current shutdown turns off all six drivers
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Independent 3 half-bridge drivers
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Matched propagation delay for all channels
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Cross-conduction prevention logic
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Low side output out of phase with inputs. High side outputs out of phase
.
3.3 V logic compatible
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Lower di/dt gate drive for better noise immunity
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Externally programmable delay for automatic fault clear
.
Variations include IR21363
IR21363S中文资料参数规格
封装参数

封装 SOIC

外形尺寸

封装 SOIC

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

IR21363S引脚图与封装图
IR21363S电路图

IR21363S电路图

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IR21363S Infineon 英飞凌 MOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W 搜索库存
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型号: IR21363S

品牌: Infineon 英飞凌

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MOSFET DRVR 600V 0.35A 6Out Hi/Lo Side 3-Phase Brdg Inv 28Pin SOIC W

当前型号

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封装: LCC 12V 200mA 32Pin

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