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MTD2955V1、MTD2955VT4G、MTD2955VT4对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MTD2955V1 MTD2955VT4G MTD2955VT4

描述 Trans MOSFET P-CH 60V 12A 3Pin(3+Tab) IPAK Rail功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK功率MOSFET的12A , 60V P沟道DPAK Power MOSFET 12A, 60V P-Channel DPAK

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管

基础参数对比

引脚数 3 3 3

封装 TO-251 DPAK-252 TO-252-3

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

输入电容(Ciss) 550pF @25V(Vds) 550pF @25V(Vds) 770pF @25V(Vds)

下降时间 39 ns 39 ns 39 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW 60W (Tc)

额定电压(DC) - - -60.0 V

额定电流 - - -12.0 A

耗散功率 - - 60W (Tc)

漏源极电压(Vds) - 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 12A 12.0 A

极性 - P-CH -

封装 TO-251 DPAK-252 TO-252-3

产品生命周期 Unknown Obsolete Obsolete

包装方式 Rail Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)