FCD380N60E、NDD60N360U1T4G对比区别

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型号 FCD380N60E NDD60N360U1T4G

描述 FCD380N60E 编带600V,11A,360mOhm,单N通道功率MOSFET

数据手册 --

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管

安装方式 - Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

无卤素状态 - Halogen Free

耗散功率 106 W 114 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V

上升时间 9 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 1770pF @25V(Vds) 790pF @50V(Vds)

下降时间 10 ns 22 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 106000 mW 114W (Tc)

针脚数 3 -

漏源极电阻 0.32 Ω -

阈值电压 3.5 V -

额定功率(Max) 106 W -

封装 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free