NDD60N360U1T4G
数据手册.pdf
ON Semiconductor
安森美
分立器件
无卤素状态 Halogen Free
耗散功率 114 W
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 20 ns
输入电容Ciss 790pF @50VVds
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 114W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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NDD60N360U1T4G | ON Semiconductor 安森美 | 600V,11A,360mOhm,单N通道功率MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: NDD60N360U1T4G 品牌: ON Semiconductor 安森美 封装: DPAK | 当前型号 | 600V,11A,360mOhm,单N通道功率MOSFET | 当前型号 | |
型号: FCD380N60E 品牌: 安森美 封装: DPAK-3 | 类似代替 | FCD380N60E 编带 | NDD60N360U1T4G和FCD380N60E的区别 |