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NDD60N360U1T4G

NDD60N360U1T4G

数据手册.pdf
ON Semiconductor 安森美 分立器件

600V,11A,360mOhm,单N通道功率MOSFET

Compared to traditional transistors, power MOSFETs, developed by , are able to both quickly switch between data lines as well as amplify the signals themselves. Its maximum power dissipation is 114000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.

NDD60N360U1T4G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 114 W

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 20 ns

输入电容Ciss 790pF @50VVds

下降时间 22 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 114W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

NDD60N360U1T4G引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
NDD60N360U1T4G ON Semiconductor 安森美 600V,11A,360mOhm,单N通道功率MOSFET 搜索库存
替代型号NDD60N360U1T4G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: NDD60N360U1T4G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: DPAK

当前型号

600V,11A,360mOhm,单N通道功率MOSFET

当前型号

型号: FCD380N60E

品牌: 安森美

封装: DPAK-3

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