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PZT2907A,115、PZT2907AT3G、SPZT2907AT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PZT2907A,115 PZT2907AT3G SPZT2907AT1G

描述 Nexperia PZT2907A,115 , PNP 晶体管, 600 mA, Vce=60 V, HFE:50, 200 MHz, 4引脚 SOT-223 (SC-73)封装ON SEMICONDUCTOR  PZT2907AT3G  单晶体管 双极, PNP, -60 V, 200 MHz, 1.5 W, -600 mA, 50 hFEPNP硅外延晶体管 PNP Silicon Epitaxial Transistor

数据手册 ---

制造商 Nexperia (安世) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 4 4 4

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

频率 200 MHz 200 MHz 200 MHz

额定功率 1.15 W - -

针脚数 3 4 4

耗散功率 1.15 W 1.5 W 1.5 W

增益频宽积 200 MHz - -

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

最小电流放大倍数(hFE) 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V 100 @150mA, 10V

额定功率(Max) 1.15 W 1.5 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) 100 50 50

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1150 mW 1.5 W 1500 mW

额定电压(DC) - -60.0 V -

额定电流 - -600 mA -

极性 - PNP PNP

集电极最大允许电流 - 0.6A 0.6A

长度 6.7 mm 6.7 mm -

宽度 3.7 mm 3.7 mm -

高度 1.7 mm 1.65 mm -

封装 TO-261-4 TO-261-4 TO-261-4

工作温度 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99