IRF1310NS、IRF1310NSTRRPBF、IRF1310NSTRLPBF对比区别

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型号 IRF1310NS IRF1310NSTRRPBF IRF1310NSTRLPBF

描述 D2PAK N-CH 100V 42AD2PAK N-CH 100V 42AN 沟道 100 V 160 W 110 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

额定电压(DC) 100 V - -

额定电流 42.0 A - -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 3.80 W 3.8W (Ta), 160W (Tc) 3.8 W

产品系列 IRF1310NS - -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V - -

连续漏极电流(Ids) 42.0 A 42A 42A

上升时间 56 ns 56 ns 56 ns

输入电容(Ciss) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds) 1900pF @25V(Vds)

下降时间 40 ns 40 ns 40 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3800 mW 3.8W (Ta), 160W (Tc) 3.8W (Ta), 160W (Tc)

额定功率 - 3.8 W -

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.036 Ω

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 1900 pF

额定功率(Max) - - 3.8 W

封装 TO-263 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 6.5 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - - 2.3 mm

材质 Silicon - -

工作温度 - - -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free