IRF1310NSTRRPBF

Infineon(英飞凌) 分立器件

D2PAK N-CH 100V 42A

表面贴装型 N 通道 100 V 42A（Tc） 3.8W（Ta），160W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 100V 42A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 42A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 42A; 3.8W; D2PAK

IRF1310NSTRRPBF中文资料参数规格

技术参数

额定功率 3.8 W

极性 N-CH

耗散功率 3.8W Ta, 160W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 42A

上升时间 56 ns

输入电容Ciss 1900pF @25VVds

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

IRF1310NSTRRPBF引脚图与封装图

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替代型号IRF1310NSTRRPBF

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