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R1122、UN1122、UNR1122对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 R1122 UN1122 UNR1122

描述 Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PINPNP硅外延平面晶体管 Silicon PNP epitaxial planer transistor复合晶体管NPN硅外延平面晶体管( Tr1的) PNP硅外延平面晶体管( TR2) Composite Transistors Silicon NPN epitaxial planer transistor (Tr1) Silicon PNP epitaxial planer transistor (Tr2)

数据手册 ---

制造商 Panasonic (松下) Panasonic (松下) Panasonic (松下)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 - M M-A1

安装方式 - - Through Hole

极性 - PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) - 50 V 50 V

集电极最大允许电流 - 0.5A 500mA

额定电压(DC) - - -50.0 V

额定电流 - - -500 mA

封装 - M M-A1

产品生命周期 Obsolete Unknown Unknown

包装方式 - - Bulk

RoHS标准 - - Non-Compliant

含铅标准 - - Contains Lead