UNR1122
数据手册.pdf
Panasonic
松下
分立器件
UNR1122中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 500mA
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 M-A1
外形尺寸
封装 M-A1
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
UNR1122引脚图与封装图
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在线购买UNR1122
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| UNR1122 | Panasonic 松下 | 复合晶体管NPN硅外延平面晶体管（ Tr1的） PNP硅外延平面晶体管（ TR2） Composite Transistors Silicon NPN epitaxial planer transistor Tr1 Silicon PNP epitaxial planer transistor Tr2 | 搜索库存 |
替代型号UNR1122
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： UNR1122 品牌： Panasonic 松下 封装： M-A1 PNP 50V 500mA | 当前型号 | 复合晶体管NPN硅外延平面晶体管（ Tr1的） PNP硅外延平面晶体管（ TR2） Composite Transistors Silicon NPN epitaxial planer transistor Tr1 Silicon PNP epitaxial planer transistor Tr2 | 当前型号 |
| 型号： R1122 品牌： 松下 封装： | 功能相似 | Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A IC, 50V VBRCEO, 1-Element, PNP, Silicon, M-A1, 3 PIN | UNR1122和R1122的区别 |
