SI4628DY-T1-GE3、SI4752DY-T1-GE3对比区别

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型号 SI4628DY-T1-GE3 SI4752DY-T1-GE3

描述 VISHAY  SI4628DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 30 V, 2.4 mohm, 10 V, 1 VVISHAY  SI4752DY-T1-GE3  晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 4500 µohm, 10 V, 1 V

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8

封装 SOIC SOIC

针脚数 8 8

漏源极电阻 2.4 mΩ 0.0045 Ω

极性 N-Channel N-Channel

耗散功率 7.8 W 3 W

阈值电压 1 V 1 V

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 38.0 mA -

上升时间 20 ns -

下降时间 13 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

封装 SOIC SOIC

工作温度 -55℃ ~ 150℃ -

包装方式 Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free -

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/06/15