SI4752DY-T1-GE3中文资料参数规格
技术参数
针脚数 8
漏源极电阻 0.0045 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC
外形尺寸
封装 SOIC
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
SI4752DY-T1-GE3引脚图与封装图
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在线购买SI4752DY-T1-GE3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| SI4752DY-T1-GE3 | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY SI4752DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 4500 µohm, 10 V, 1 V | 搜索库存 |
替代型号SI4752DY-T1-GE3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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| 型号： SI4752DY-T1-GE3 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOIC N-Channel | 当前型号 | VISHAY SI4752DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 30 V, 4500 µohm, 10 V, 1 V | 当前型号 |
| 型号： SI4628DY-T1-GE3 品牌： 威世 封装： SOIC N-Channel 30V 38mA | 类似代替 | VISHAY SI4628DY-T1-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 38 A, 30 V, 2.4 mohm, 10 V, 1 V | SI4752DY-T1-GE3和SI4628DY-T1-GE3的区别 |