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BAS70-04B5003、ES1G、BAS70-04LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BAS70-04B5003 ES1G BAS70-04LT1G

描述 Rectifier Diode, Schottky, 2 Element, 0.07A, Silicon, SOT-23, 3 PINTAIWAN SEMICONDUCTOR  ES1G  快速/超快二极管, 单, 400 V, 1 A, 1.3 V, 35 ns, 30 AON SEMICONDUCTOR  BAS70-04LT1G  小信号肖特基二极管, 双系列, 70 V, 15 mA, 1 V, 100 mA, 150 °C

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Taiwan Semiconductor (台湾半导体) ON Semiconductor (安森美)

分类 功率二极管功率二极管肖特基二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 2 3

封装 SOT-23-3 DO-214AC-2 SOT-23-3

额定电流 - - 2.00 µA

电容 1.50 pF - 2.00 pF

无卤素状态 - - Halogen Free

负载电流 - - 0.1 A

针脚数 - - 3

正向电压 - 1.30 V 1 V

耗散功率 - - 225 mW

正向电流 - 1 A 15 mA

最大正向浪涌电流(Ifsm) - 30 A 100 mA

正向电压(Max) 1V @15mA 1.3 V 1 V

正向电流(Max) - - 15 mA

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

工作结温 - - -55℃ ~ 150℃

工作结温(Max) - - 150 ℃

耗散功率(Max) - - 225 mW

反向恢复时间 - 35 ns -

长度 - - 3.04 mm

宽度 - - 1.4 mm

高度 - - 0.94 mm

封装 SOT-23-3 DO-214AC-2 SOT-23-3

工作温度 - - -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 - - EAR99