AUIRF5210S、IRF5210STRLPBF、IRF5210L对比区别

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型号 AUIRF5210S IRF5210STRLPBF IRF5210L

描述 D2PAK P-CH 100V 38AINFINEON  IRF5210STRLPBF  场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷TO-262P-CH 100V 40A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3

极性 P-CH P-CH P-CH

耗散功率 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3.8 W 3.8W (Ta), 200W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 38A 38A 40A

上升时间 63 ns 63 ns -

输入电容(Ciss) 2780pF @25V(Vds) 2780pF @25V(Vds) 2700pF @25V(Vds)

下降时间 55 ns 55 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3.1W (Ta), 170W (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc)

额定功率 - 3.8 W -

通道数 - 1 -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.06 Ω -

阈值电压 - 4 V -

漏源击穿电压 - 100 V -

额定功率(Max) - 3.1 W -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-262-3

长度 - 10.67 mm -

宽度 - 9.65 mm -

高度 - 4.83 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -