AUIRF5210S
数据手册.pdfInfineon(英飞凌)
分立器件
AUIRF5210S中文资料参数规格
技术参数
极性 P-CH
耗散功率 3.1W Ta, 170W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 38A
上升时间 63 ns
输入电容Ciss 2780pF @25VVds
下降时间 55 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.1W Ta, 170W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
外形尺寸
封装 TO-263-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
AUIRF5210S引脚图与封装图
暂无图片
在线购买AUIRF5210S
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| AUIRF5210S | Infineon 英飞凌 | D2PAK P-CH 100V 38A | 搜索库存 |
替代型号AUIRF5210S
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： AUIRF5210S 品牌： Infineon 英飞凌 封装： D2PAK P-CH 100V 38A | 当前型号 | D2PAK P-CH 100V 38A | 当前型号 |
| 型号： IRF5210STRLPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-CH 100V 38A | 类似代替 | INFINEON IRF5210STRLPBF 场效应管, MOSFET, P沟道, -100V, 40A D2-PAK, 整卷 | AUIRF5210S和IRF5210STRLPBF的区别 |
| 型号： IRF5210SPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-CH 100V 38A | 类似代替 | INFINEON IRF5210SPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, 40 A, -100 V, 60 mohm, -10 V, -4 V | AUIRF5210S和IRF5210SPBF的区别 |
| 型号： IRF5210STRRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL P-Channel 100V 38A | 类似代替 | P沟道 100V 38A | AUIRF5210S和IRF5210STRRPBF的区别 |