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TPD2E001DRLR、TPD4E001DRLR、TPD3E001DRSR对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TPD2E001DRLR TPD4E001DRLR TPD3E001DRSR

描述 ESD 保护阵列,用于高速数据接口,STMicroelectronicsESD 保护超过 ±15kV 个人体模型 (HBM) ±8kV IEC 61000-4-2 触点放电 ±15kV IEC 61000-4-2 空隙放电 低 1.5pF 输入电容 低 1nA(最大值)泄露电流 低 1nA 电源电流 USB 2.0、Ethernet、FireWire™、SVGA 视频、手机等中的应用 ### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronicsTEXAS INSTRUMENTS  TPD4E001DRLR  静电保护装置, TVS, 100 V, SOT-6, 6 引脚, 950 mV, 100 WTEXAS INSTRUMENTS  TPD3E001DRSR.  芯片, 静电保护器, 二极管阵列, 3通道 6SON

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 TVS二极管TVS二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 5 6 6

封装 SOT-553 SOT-6 WDFN-6

工作电压 5.5 V 950 mV -

电容 1.5 pF 1.5 pF 1.50 pF

输出接口数 2 - -

击穿电压 11 V 11 V -

通道数 2 4 3

针脚数 5 6 6

钳位电压 105.5 V 100 V 105.5 V

最小反向击穿电压 11 V 11 V 11 V

输入电压(Max) 15000 V - -

工作温度(Max) 85 ℃ 85 ℃ 85 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

电源电压 0.9.5.5 V - -

电源电压(Max) 5.5 V - 5.5 V

耗散功率 - 100 W -

脉冲峰值功率 - 100 W 90 W

电源电压(DC) - - 900mV (min)

测试电流 - - 10 mA

工作结温 - - 150 ℃

电源电压(Min) - - 0.9 V

长度 1.6 mm 1.6 mm -

宽度 1.2 mm 1.2 mm -

高度 0.55 mm 0.55 mm 0.95 mm

封装 SOT-553 SOT-6 WDFN-6

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2014/12/17 - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99