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DS1220Y-100、DS1220AB-100+、DS1220Y-100IND对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1220Y-100 DS1220AB-100+ DS1220Y-100IND

描述 DIP24RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24Pin EDIP

数据手册 ---

制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)

分类 存储芯片

基础参数对比

封装 DIP DIP-24 DIP

安装方式 - Through Hole -

引脚数 - 24 -

封装 DIP DIP-24 DIP

长度 - 34.04 mm -

宽度 - 18.29 mm -

高度 - 9.4 mm -

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 - Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) -

时钟频率 - 100 GHz -

存取时间 - 100 ns -

内存容量 - 2000 B -

工作温度(Max) - 70 ℃ -

工作温度(Min) - 0 ℃ -

电源电压 - 4.75V ~ 5.25V -

工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -