DS1220Y-100、DS1220AB-100+、DS1220Y-100IND对比区别
型号 DS1220Y-100 DS1220AB-100+ DS1220Y-100IND
描述 DIP24RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM (NVRAM)NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 (RTC)。NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24Pin EDIP
数据手册 ---
制造商 Dallas Semiconductor (达拉斯半导体) Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信)
分类 存储芯片
封装 DIP DIP-24 DIP
安装方式 - Through Hole -
引脚数 - 24 -
封装 DIP DIP-24 DIP
长度 - 34.04 mm -
宽度 - 18.29 mm -
高度 - 9.4 mm -
产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete
包装方式 - Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free -
电源电压(DC) - 5.00 V, 5.25 V (max) -
时钟频率 - 100 GHz -
存取时间 - 100 ns -
内存容量 - 2000 B -
工作温度(Max) - 70 ℃ -
工作温度(Min) - 0 ℃ -
电源电压 - 4.75V ~ 5.25V -
工作温度 - 0℃ ~ 70℃ (TA) -