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DS1220AB-100+

DS1220AB-100+

数据手册.pdf
Maxim Integrated(美信) 电子元器件分类

RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

非易失 RAM,


得捷:
IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP


立创商城:
DS1220AB 100+


欧时:
Maxim DS1220AB-100+ 16kbit NVRAM 存储器, 4.75 → 5.25 V电源, 0 → +70 °C, 24引脚 EDIP封装


DS1220AB-100+中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 5.00 V, 5.25 V max

时钟频率 100 GHz

存取时间 100 ns

内存容量 2000 B

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 24

封装 DIP-24

外形尺寸

长度 34.04 mm

宽度 18.29 mm

高度 9.4 mm

封装 DIP-24

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

DS1220AB-100+引脚图与封装图
DS1220AB-100+引脚图

DS1220AB-100+引脚图

DS1220AB-100+封装图

DS1220AB-100+封装图

DS1220AB-100+封装焊盘图

DS1220AB-100+封装焊盘图

在线购买DS1220AB-100+
型号 制造商 描述 购买
DS1220AB-100+ Maxim Integrated 美信 RAM,Maxim Integrated ### 非易失 RAM NVRAM NVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。 搜索库存
替代型号DS1220AB-100+
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: DS1220AB-100+

品牌: Maxim Integrated 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

当前型号

RAM,Maxim Integrated### 非易失 RAM NVRAMNVRAM 是包含 CMOS 静态 RAM 和不可充电锂电池的模块,用于在断开电源时保存数据。 系列中部分器件还集成了实时时钟 RTC。

当前型号

型号: DS1220AB-100

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

完全替代

16K非易失SRAM 16k Nonvolatile SRAM

DS1220AB-100+和DS1220AB-100的区别

型号: DS1220AD-100IND+

品牌: 美信

封装: DIP 2000B 5V 100ns 24Pin

类似代替

MAXIM INTEGRATED PRODUCTS  DS1220AD-100IND+  芯片, 存储器, NVRAM

DS1220AB-100+和DS1220AD-100IND+的区别

型号: DS1220AB-150

品牌: 美信

封装: 24-DIP 2000B 5V 150ns 24Pin

类似代替

Non-Volatile SRAM Module, 2KX8, 150ns, CMOS, PDIP24, 0.72INCH, EXTENDED, DIP-24

DS1220AB-100+和DS1220AB-150的区别