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BZV85-C12、BZV85-C12,113、BZX85C12-TAP对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV85-C12 BZV85-C12,113 BZX85C12-TAP

描述 NXP  BZV85-C12  单管二极管 齐纳, 12 V, 1 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  BZV85-C12,113.  齐纳二极管, 12V, DO-41, 整卷VISHAY  BZX85C12-TAP  单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Vishay Semiconductor (威世)

分类 齐纳二极管齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 2 2 2

封装 DO-41 DO-41 DO-41

容差 - ±5 % ±5 %

额定功率 - - 1.3 W

击穿电压 - - 12.0 V

针脚数 2 2 2

耗散功率 1 W 1 W 1.3 W

测试电流 - 20 mA 20 mA

稳压值 12 V 12 V 12 V

额定功率(Max) - 1 W 1.3 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃ 175 ℃

耗散功率(Max) - 1300 mW 1.3 W

正向电压 - 1V @50mA -

极性 - PNP -

正向电压(Max) - 1V @50mA -

长度 - - 4.1 mm

宽度 - - 2.6 mm

高度 - - 2.6 mm

封装 DO-41 DO-41 DO-41

工作温度 - -65℃ ~ 200℃ 175 ℃

温度系数 - 8.55 mV/K -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99