BZX85C12-TAP中文资料参数规格
技术参数
容差 ±5 %
额定功率 1.3 W
击穿电压 12.0 V
针脚数 2
耗散功率 1.3 W
测试电流 20 mA
稳压值 12 V
额定功率Max 1.3 W
工作温度Max 175 ℃
耗散功率Max 1.3 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-41
外形尺寸
长度 4.1 mm
宽度 2.6 mm
高度 2.6 mm
封装 DO-41
物理参数
工作温度 175 ℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 车用, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
海关信息
ECCN代码 EAR99
BZX85C12-TAP引脚图与封装图
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在线购买BZX85C12-TAP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BZX85C12-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | VISHAY BZX85C12-TAP 单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C | 搜索库存 |
替代型号BZX85C12-TAP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BZX85C12-TAP 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： DO-41 12V | 当前型号 | VISHAY BZX85C12-TAP 单管二极管 齐纳, AEC-Q101, 12 V, 1.3 W, DO-41, 5 %, 2 引脚, 175 °C | 当前型号 |
| 型号： BZX85C12 SB00018/E1 品牌： 威世 封装： DO-41 | 完全替代 | VISHAY BZX85C12 SB00018/E1 Zener Single Diode, 12V, 1.3W, DO-41, 5%, 2Pins, 175℃ | BZX85C12-TAP和BZX85C12 SB00018/E1的区别 |
| 型号： ZPY12-TAP 品牌： 威世 封装： DO-41 | 类似代替 | 1.3mW，ZPY 系列，Vishay Semiconductor硅平面齐纳二极管（电源） 适用于稳定和削波电路的应用，带有高额定功率 ### 齐纳二极管，Vishay Semiconductor | BZX85C12-TAP和ZPY12-TAP的区别 |
| 型号： ZPY12-TR 品牌： 威世 封装： DO-41 | 类似代替 | Diode Zener Single 12V 5% 1.3W 2Pin DO-41 T/R | BZX85C12-TAP和ZPY12-TR的区别 |