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1N5932B、BZX85C20-TR、1N5932BRNG对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 1N5932B BZX85C20-TR 1N5932BRNG

描述 SILICON ZENER DIODESDiode Zener Single 20V 6% 1.3W 2Pin DO-41 T/RAxial Lead-2 20V 3W

数据手册 ---

制造商 EIC Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)

分类 齐纳二极管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 - Through Hole Through Hole

封装 DO-41 DO-41 DO-41

引脚数 2 - 2

容差 - ±5 % ±5 %

耗散功率 - 1.3 W 3 W

测试电流 18.7 mA 10 mA 18.7 mA

稳压值 20 V 20 V 20 V

额定功率(Max) - 1.3 W 3 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ 55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 1300 mW -

无卤素状态 - - Halogen Free

正向电压 - - 1.5V @200mA

长度 - 4.1 mm -

宽度 - 2.6 mm -

高度 - 2.6 mm -

封装 DO-41 DO-41 DO-41

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Box (TB)

最小包装 - - 1000

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Contains Lead