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BYT51K-TAP、BYT51K-TR、1N4006GP-E3/54对比区别

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型号 BYT51K-TAP BYT51K-TR 1N4006GP-E3/54

描述 Diode Switching 800V 1.5A 2Pin SOD-57 AmmoDiode Switching 800V 1.5A 2Pin SOD-57 T/R1N4006 Series 800V 1A Through Hole Glass Passivated Junction Rectifier - DO-41

数据手册 ---

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 TVS二极管功率二极管TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

封装 SOD-57 SOD-57 DO-41-2

额定电流 1.50 A 1.50 A -

正向电压 1.1V @1A 1.1V @1A 1.1 V

反向恢复时间 4 µs 4 µs 2000 ns

正向电压(Max) 1.1V @1A 1.1V @1A -

正向电流 - - 1 A

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - 65 ℃

封装 SOD-57 SOD-57 DO-41-2

长度 - - 5.2 mm

宽度 - - 2.7 mm

高度 - - 2.7 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ - -65℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Box (TB) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 Lead Free