BYT51K-TAP中文资料参数规格
技术参数
额定电流 1.50 A
正向电压 1.1V @1A
反向恢复时间 4 µs
正向电压Max 1.1V @1A
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SOD-57
外形尺寸
封装 SOD-57
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
BYT51K-TAP引脚图与封装图
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在线购买BYT51K-TAP
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BYT51K-TAP | Vishay Semiconductor 威世 | Diode Switching 800V 1.5A 2Pin SOD-57 Ammo | 搜索库存 |
替代型号BYT51K-TAP
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BYT51K-TAP 品牌： Vishay Semiconductor 威世 封装： SOD-57 1.5A | 当前型号 | Diode Switching 800V 1.5A 2Pin SOD-57 Ammo | 当前型号 |
| 型号： BYT51K-TR 品牌： 威世 封装： SOD-57 1.5A 1.1V | 完全替代 | Diode Switching 800V 1.5A 2Pin SOD-57 T/R | BYT51K-TAP和BYT51K-TR的区别 |
| 型号： 1N4006GP-E3/54 品牌： 威世 封装： DO-204AL | 功能相似 | 1N4006 Series 800V 1A Through Hole Glass Passivated Junction Rectifier - DO-41 | BYT51K-TAP和1N4006GP-E3/54的区别 |
| 型号： 1N4006GP-E3/73 品牌： 威世 封装： DO-41 | 功能相似 | Diode Switching 800V 1A 2Pin DO-204AL Ammo | BYT51K-TAP和1N4006GP-E3/73的区别 |