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TLC272ACD、LMC6462BIM/NOPB、TS272AIDT对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLC272ACD LMC6462BIM/NOPB TS272AIDT

描述 TEXAS INSTRUMENTS  TLC272ACD  运算放大器, 双路, 1.7 MHz, 2个放大器, 3.6 V/µs, 3V 至 16V, SOIC, 8 引脚CMOS 运算放大器,LMC/LPC 系列### 运算放大器,Texas Instruments**2xOP 3.5MHz 5.5V/µs SO8 _SMD **

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 运算放大器运算放大器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作电压 - 3V ~ 15.5V -

输出电流 ≤30 mA ≤30 mA 45 mA

供电电流 1.9 mA 50 µA 1 mA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

针脚数 8 8 -

共模抑制比 65dB ~ 80dB 65 dB 65 dB

输入补偿漂移 1.80 µV/K 1.50 µV/K -

带宽 1.7 MHz 50 kHz -

转换速率 3.60 V/μs 15.0 mV/μs 40.0 mV/μs

增益频宽积 1.7 MHz 50 kHz 3.5 MHz

输入补偿电压 900 µV 250 µV 900 µV

输入偏置电流 0.7 pA 0.15 pA 1 pA

工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ -40 ℃

增益带宽 2.2 MHz 0.05 MHz 3.5 MHz

共模抑制比(Min) 65 dB 65 dB 65 dB

电源电压 3V ~ 16V 3V ~ 15.5V -

耗散功率 725 mW - -

耗散功率(Max) 725 mW - -

电源电压(Max) 16 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.91 mm 3.9 mm -

高度 1.58 mm 1.45 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/06/15 -

ECCN代码 - - EAR99