SPP80N06S2L-H5、STP141NF55、STP80NF55-08对比区别

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型号 SPP80N06S2L-H5 STP141NF55 STP80NF55-08

描述 的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-TransistorN沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET™ II Power MOSFETSTMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

极性 N-CH N-CH N-Channel

耗散功率 300W (Tc) 300 W 300 W

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80.0 A 80A 80.0 A

上升时间 - 150 ns 110 ns

输入电容(Ciss) 6640pF @25V(Vds) 5300pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 300 W 300 W 300 W

下降时间 - 45 ns 35 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W

额定电压(DC) 55.0 V - 55.0 V

额定电流 80.0 A - 80.0 A

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.008 Ω

阈值电压 - - 3 V

漏源击穿电压 - - 55.0 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

输入电容 6.64 nF - -

栅电荷 190 nC - -

长度 - 10.4 mm 10.4 mm

宽度 - 4.6 mm 4.6 mm

高度 - 9.15 mm 15.75 mm

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 -