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STP80NF55-08

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STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。


立创商城:
STP80NF55-08


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB


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Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


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Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


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STP80NF55-08 系列 55 V 8 mOhm N 沟道 STripFET™ II 功率 Mosfet - TO-220


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V


Win Source:
N-CHANNEL 55V - .65 ohm - 8A D2PAK/I2PAK/TO-22 STripFET II POWER MOSFET


STP80NF55-08中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.008 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 110 ns

输入电容Ciss 3850pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, Industrial, 电源管理, 便携式器材, Consumer Electronics, Power Management, 消费电子产品, Portable Devices

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

STP80NF55-08引脚图与封装图
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型号 制造商 描述 购买
STP80NF55-08 ST Microelectronics 意法半导体 STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V 搜索库存
替代型号STP80NF55-08
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号： STP80NF55-08

品牌： ST Microelectronics 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 55V 80A 8mΩ

当前型号

STMICROELECTRONICS  STP80NF55-08  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V

当前型号

型号： STP55NF06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 50A 18mΩ

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型号： STP55NF06L

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 60V 55A 14mΩ

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型号： STP80NF55-06

品牌： 意法半导体

封装： TO-220 N-Channel 55V 80A 6.5mΩ

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