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JAN2N5154、JANTX2N5154对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N5154 JANTX2N5154

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR

数据手册 --

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-205 TO-39

引脚数 3 3

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V

最小电流放大倍数(hFE) 70 @2.5A, 5V 70 @2.5A, 5V

额定功率(Max) 1 W 1 W

耗散功率 - 1 W

工作温度(Max) 200 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW

封装 TO-205 TO-39

工作温度 -65℃ ~ 200℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃ (TJ)

材质 Silicon Silicon

产品生命周期 Active Active

包装方式 Bag Bag

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准

ECCN代码 - EAR99