JAN2N5154
数据手册.pdfMicrosemi(美高森美)
分立器件
JAN2N5154中文资料参数规格
技术参数
击穿电压集电极-发射极 80 V
最小电流放大倍数hFE 70 @2.5A, 5V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 200 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-205
外形尺寸
封装 TO-205
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -65℃ ~ 200℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Bag
符合标准
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
JAN2N5154引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N5154
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N5154 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-39 | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTXV2N5154 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5154和JANTXV2N5154的区别 |
| 型号： JANS2N5154L 品牌： 美高森美 封装： TO-5 | 完全替代 | Trans GP BJT NPN 80V 2A 3Pin TO-5 | JAN2N5154和JANS2N5154L的区别 |
| 型号： JANTX2N5154 品牌： 美高森美 封装： TO-39 1000mW | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N5154和JANTX2N5154的区别 |
