BC337-40RL1G、BC337-40ZL1G、BC33716TA对比区别

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型号 BC337-40RL1G BC337-40ZL1G BC33716TA

描述 放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN SiliconON SEMICONDUCTOR  BC337-40ZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFENPN 晶体管，40V 至 50V，Fairchild Semiconductor### 双极晶体管，Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案，用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

频率 210 MHz 210 MHz 100 MHz

额定电压(DC) 45.0 V 45.0 V 45.0 V

额定电流 100 mA 800 mA 800 mA

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 0.625 W 625 mW 625 mW

击穿电压(集电极-发射极) 45 V 45 V 45 V

集电极最大允许电流 0.8A 0.8A 0.8A

最小电流放大倍数(hFE) 250 @100mA, 1V 250 @100mA, 1V 100 @100mA, 1V

额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

直流电流增益(hFE) - 250 60

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW

输出电压 ≤9.00 V - -

长度 - 5.2 mm 4.58 mm

宽度 - 4.19 mm 3.86 mm

高度 - 5.33 mm 4.58 mm

封装 TO-226-3 TO-226-3 TO-226-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Box

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99