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BC337-40ZL1G

BC337-40ZL1G

数据手册.pdf

ON SEMICONDUCTOR  BC337-40ZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFE

The from On Semiconductor is a through hole, NPN amplifier transistor in TO-92 package.

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Collector to emitter voltage Vce of 45V
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Collector current Ic of 800mA
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Power dissipation of 625mW
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Operating junction temperature range from -55°C to 150°C
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Collector emitter breakdown Voltage of 45V
.
Collector emitter saturation voltage of 700mV at 500mA collector current
BC337-40ZL1G中文资料参数规格
技术参数

频率 210 MHz

额定电压DC 45.0 V

额定电流 800 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 45 V

集电极最大允许电流 0.8A

最小电流放大倍数hFE 250 @100mA, 1V

额定功率Max 625 mW

直流电流增益hFE 250

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-226-3

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 4.19 mm

高度 5.33 mm

封装 TO-226-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape

制造应用 Signal Processing, 工业, Industrial, Portable Devices, 便携式器材, 电源管理, Power Management, 消费电子产品, Consumer Electronics, 信号处理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

BC337-40ZL1G引脚图与封装图
BC337-40ZL1G引脚图

BC337-40ZL1G引脚图

BC337-40ZL1G封装图

BC337-40ZL1G封装图

BC337-40ZL1G封装焊盘图

BC337-40ZL1G封装焊盘图

在线购买BC337-40ZL1G
型号 制造商 描述 购买
BC337-40ZL1G ON Semiconductor 安森美 ON SEMICONDUCTOR  BC337-40ZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFE 搜索库存
替代型号BC337-40ZL1G
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: BC337-40ZL1G

品牌: ON Semiconductor 安森美

封装: TO-92 NPN 45V 800mA 625mW

当前型号

ON SEMICONDUCTOR  BC337-40ZL1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 45 V, 210 MHz, 625 mW, 800 mA, 250 hFE

当前型号

型号: BC337-40RL1

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 45V 800mA

完全替代

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

BC337-40ZL1G和BC337-40RL1的区别

型号: BC337-40ZL1

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 45V 800mA

完全替代

放大器晶体管NPN硅 Amplifier Transistors NPN Silicon

BC337-40ZL1G和BC337-40ZL1的区别

型号: BC337-40RL1G

品牌: 安森美

封装: TO-92 NPN 45V 100mA 625mW

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