TT8J13TCR、TT8J1TR对比区别

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型号 TT8J13TCR TT8J1TR

描述 TSST P-CH 12V 2.5AMOSFET P-CH DUAL 12V 2.5A TSST8

数据手册 --

制造商 ROHM Semiconductor (罗姆半导体) ROHM Semiconductor (罗姆半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 TSST-8 SMD-8

引脚数 8 -

耗散功率 1.25 W 1.25 W

漏源极电压(Vds) 12 V 12 V

输入电容(Ciss) 2000pF @6V(Vds) 1350pF @6V(Vds)

额定功率(Max) 1 W 1.25 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃

通道数 2 -

极性 P-CH -

漏源击穿电压 ±12 V -

连续漏极电流(Ids) 2.5A -

上升时间 40 ns -

下降时间 60 ns -

耗散功率(Max) 1250 mW -

封装 TSST-8 SMD-8

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ)

材质 Silicon -

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

ECCN代码 EAR99 -