TT8J1TR
数据手册.pdf
ROHM Semiconductor
罗姆半导体
分立器件
TT8J1TR中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 1.25 W
漏源极电压Vds 12 V
输入电容Ciss 1350pF @6VVds
额定功率Max 1.25 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 SMD-8
外形尺寸
封装 SMD-8
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
TT8J1TR引脚图与封装图
暂无图片
替代型号TT8J1TR
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： TT8J1TR 品牌： ROHM Semiconductor 罗姆半导体 封装： 8-SMD | 当前型号 | MOSFET P-CH DUAL 12V 2.5A TSST8 | 当前型号 |
| 型号： TT8J13TCR 品牌： 罗姆半导体 封装： 8-SMD P-CH 12V 2.5A | 功能相似 | TSST P-CH 12V 2.5A | TT8J1TR和TT8J13TCR的区别 |