BUZ341、IRFP250NPBF、STW34NB20对比区别

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型号 BUZ341 IRFP250NPBF STW34NB20

描述 SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power TransistorINFINEON  IRFP250NPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 30 A, 200 V, 75 mohm, 10 V, 4 VN - 沟道增强型MOSFET的PowerMESH N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE PowerMESH MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-218 TO-247-3 TO-247-3

额定功率 - 214 W 180 W

通道数 - 1 1

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 0.075 Ω 75.0 mΩ

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 - 214 W 180W (Tc)

阈值电压 - 4 V -

输入电容 - 2159 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

漏源击穿电压 - 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 33A 30A 34.0 A

上升时间 110 ns 43 ns 40 ns

热阻 - 0.7℃/W (RθJC) -

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 2159pF @25V(Vds) 3300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 214 W 180 W

下降时间 160 ns 33 ns 18 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) 170000 mW 214W (Tc) 180W (Tc)

额定电压(DC) - - 200 V

额定电流 - - 34.0 A

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

长度 - 15.9 mm -

宽度 - 5.3 mm 5.15 mm

高度 - 20.3 mm -

封装 TO-218 TO-247-3 TO-247-3

材质 - Silicon -

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Not Recommended for New Designs

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -