BUZ341
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Infineon
英飞凌
电子元器件分类
BUZ341中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
漏源极电压Vds 200 V
连续漏极电流Ids 33A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
下降时间 160 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 170000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-218
外形尺寸
封装 TO-218
其他
产品生命周期 Obsolete
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
BUZ341引脚图与封装图
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在线购买BUZ341
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| BUZ341 | Infineon 英飞凌 | SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor | 搜索库存 |
替代型号BUZ341
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： BUZ341 品牌： Infineon 英飞凌 封装： | 当前型号 | SIPMOS功率晶体管 SIPMOS Power Transistor | 当前型号 |
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| 型号： IRFP250N 品牌： 英飞凌 封装： TO-247AC N-Channel 200V 30A 75mΩ | 功能相似 | TO-247AC N-CH 200V 30A | BUZ341和IRFP250N的区别 |
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