IRF1010EPBF、RF-10、IRF1010E对比区别

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型号 IRF1010EPBF RF-10 IRF1010E

描述 INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 VPower Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3TO-220AB N-CH 60V 84A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole - Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-220-3 - TO-220

额定功率 170 W - -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.012 Ω - 12.0 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 170 W - 170 W

阈值电压 4 V - -

输入电容 3210pF @25V - -

漏源极电压(Vds) 60 V - 60 V

漏源击穿电压 60 V - 60.0 V

连续漏极电流(Ids) 84A - 84.0 A

上升时间 78 ns - 78 ns

输入电容(Ciss) 3210pF @25V(Vds) - -

额定功率(Max) 200 W - -

下降时间 53 ns - 53 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - -

工作温度(Min) -55 ℃ - -

耗散功率(Max) 200W (Tc) - -

额定电压(DC) - - 60.0 V

额定电流 - - 84.0 A

产品系列 - - IRF1010E

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 10.54 mm - -

宽度 4.69 mm - -

高度 8.77 mm - -

封装 TO-220-3 - TO-220

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free - Contains Lead