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IRF1010E
Infineon 英飞凌 分立器件

TO-220AB N-CH 60V 84A

Benefits:

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RoHS Compliant
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Low RDSon
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Industry-leading quality
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Dynamic dv/dt Rating
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Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
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175°C Operating Temperature

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 84A 3-Pin3+Tab TO-220AB


IRF1010E中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 84.0 A

漏源极电阻 12.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 170 W

产品系列 IRF1010E

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 84.0 A

上升时间 78 ns

下降时间 53 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220

外形尺寸

封装 TO-220

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Push-Pull, Full-Bridge, Consumer Full-Bridge

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF1010E引脚图与封装图
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IRF1010E Infineon 英飞凌 TO-220AB N-CH 60V 84A 搜索库存
替代型号IRF1010E
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRF1010E

品牌: Infineon 英飞凌

封装: TO-220 N-Channel 60V 84A 12mΩ

当前型号

TO-220AB N-CH 60V 84A

当前型号

型号: IRF1010EPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 60V 84A

功能相似

INFINEON  IRF1010EPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V

IRF1010E和IRF1010EPBF的区别

型号: F101

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 75A ID, 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

IRF1010E和F101的区别

型号: RF-10

品牌: 英飞凌

封装:

功能相似

Power Field-Effect Transistor, 75A ID, 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3

IRF1010E和RF-10的区别