
额定电压DC 60.0 V
额定电流 84.0 A
漏源极电阻 12.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 170 W
产品系列 IRF1010E
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 84.0 A
上升时间 78 ns
下降时间 53 ns
安装方式 Through Hole
封装 TO-220
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Bulk
制造应用 Push-Pull, Full-Bridge, Consumer Full-Bridge
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRF1010E | Infineon 英飞凌 | TO-220AB N-CH 60V 84A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRF1010E 品牌: Infineon 英飞凌 封装: TO-220 N-Channel 60V 84A 12mΩ | 当前型号 | TO-220AB N-CH 60V 84A | 当前型号 | |
型号: IRF1010EPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 60V 84A | 功能相似 | INFINEON IRF1010EPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 81 A, 60 V, 12 mohm, 10 V, 4 V | IRF1010E和IRF1010EPBF的区别 | |
型号: F101 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 75A ID, 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | IRF1010E和F101的区别 | |
型号: RF-10 品牌: 英飞凌 封装: | 功能相似 | Power Field-Effect Transistor, 75A ID, 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3 | IRF1010E和RF-10的区别 |