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JAN2N6693、JANTXV2N6693、2N669对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 JAN2N6693 JANTXV2N6693 2N669

描述 NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORNPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTORPower Bipolar Transistor, 15A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-61, Metal, 3 Pin,

数据手册 ---

制造商 Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美) Microsemi (美高森美)

分类 双极性晶体管

基础参数对比

封装 TO-61 TO-61 TO-61

引脚数 - 3 -

封装 TO-61 TO-61 TO-61

产品生命周期 Active Active Active

极性 NPN NPN -

击穿电压(集电极-发射极) 400 V 400 V -

集电极最大允许电流 15A 15A -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant -