JAN2N6693
数据手册.pdf
Microsemi
美高森美
分立器件
JAN2N6693中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
击穿电压集电极-发射极 400 V
集电极最大允许电流 15A
封装参数
封装 TO-61
外形尺寸
封装 TO-61
其他
产品生命周期 Active
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
JAN2N6693引脚图与封装图
暂无图片
替代型号JAN2N6693
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： JAN2N6693 品牌： Microsemi 美高森美 封装： TO-61 NPN | 当前型号 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | 当前型号 |
| 型号： JANTX2N6693 品牌： 美高森美 封装： TO-61 NPN | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6693和JANTX2N6693的区别 |
| 型号： JANTXV2N6693 品牌： 美高森美 封装： | 完全替代 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6693和JANTXV2N6693的区别 |
| 型号： 2N6693 品牌： 美高森美 封装： TO-61 NPN | 功能相似 | NPN功率硅晶体管 NPN POWER SILICON TRANSISTOR | JAN2N6693和2N6693的区别 |
