DMS3016SSS-13、SI4410BDY-T1-E3、DMS3016SSSA-13对比区别

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型号 DMS3016SSS-13 SI4410BDY-T1-E3 DMS3016SSSA-13

描述 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODEVISHAY  SI4410BDY-T1-E3  场效应管, MOSFET, N沟道, 整卷DMS3016SSSA-13 编带

数据手册 ---

制造商 Diodes (美台) Vishay Semiconductor (威世) Diodes (美台)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.54 W 2.5 W 1.54 W

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 9.8A 10.0 A, 7.50 A 9.8A

上升时间 8.73 ns 10 ns 8.73 ns

输入电容(Ciss) 1849pF @15V(Vds) - 1849pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 1.54 W - 1.54 W

下降时间 4.69 ns 15 ns 4.69 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1.54W (Ta) 1400 mW 1.54W (Ta)

漏源极电阻 0.009 Ω 0.02 Ω -

阈值电压 1 V 1 V -

针脚数 - 8 -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SO-8

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.9 mm -

高度 - 1.55 mm -

产品生命周期 Active - Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -