DMS3016SSS-13
数据手册.pdfDiodes(美台)
分立器件
漏源极电阻 0.009 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1.54 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 9.8A
上升时间 8.73 ns
输入电容Ciss 1849pF @15VVds
额定功率Max 1.54 W
下降时间 4.69 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.54W Ta
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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DMS3016SSS-13 | Diodes 美台 | N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET WITH SCHOTTKY DIODE | 搜索库存 |