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TLV2422QDR、TLV2422QDRG4、TLV2422AQD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 TLV2422QDR TLV2422QDRG4 TLV2422AQD

描述 Op Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V Automotive 8Pin SOIC T/ROp Amp Dual GP R-R O/P ±5V/10V Automotive 8Pin SOIC T/R高级LinCMOSE轨到轨输出,宽输入电压微功耗双运算放大器 Advanced LinCMOSE RAIL-TO-RAIL OUTPUT WIDE-INPUT-VOLTAGE MICROPOWER DUAL OPERATIONAL AMPLIFIERS

数据手册 ---

制造商 TI (德州仪器) TI (德州仪器) TI (德州仪器)

分类 放大器、缓冲器放大器、缓冲器放大器、缓冲器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

供电电流 100 µA 100 µA 100 µA

电路数 2 2 2

通道数 2 2 2

耗散功率 - 725 mW -

共模抑制比 - 70 dB -

输入补偿漂移 2.00 µV/K 2.00 µV/K 1.80 µV/K

带宽 52.0 kHz 52.0 kHz 52.0 kHz

转换速率 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs 20.0 mV/μs

增益频宽积 52 kHz 52 kHz 52 kHz

输入补偿电压 300 µV 300 µV 300 µV

输入偏置电流 1 pA 1 pA 1 pA

工作温度(Max) - 125 ℃ -

工作温度(Min) - 40 ℃ -

电源电压(Max) - 10 V -

电源电压(Min) - 2.7 V -

增益带宽 - - 52 kHz

长度 - 4.9 mm -

宽度 - 3.91 mm -

高度 - 1.58 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead Contains Lead