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MMBTA92LT1G、SMBTA92、MMBTA93LT1G对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBTA92LT1G SMBTA92 MMBTA93LT1G

描述 ON SEMICONDUCTOR  MMBTA92LT1G  单晶体管 双极, 通用, PNP, -300 V, 50 MHz, 300 mW, -500 mA, 50 hFESMBTA92 PNP三极管 -300V -500mA/-0.5A 50MHz 40 -500mV/-0.5V SOT-23/SC-59 marking/标记 S2D 低集电极发射极饱和电压高压晶体管PNP硅 High Voltage Transistors PNP Silicon

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Infineon (英飞凌) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

击穿电压(集电极-发射极) 300 V 300 V 200 V

集电极最大允许电流 0.5A 0.5A 0.5A

最小电流放大倍数(hFE) 25 @30mA, 10V 25 25 @30mA, 10V

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -65 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300 mW 360 mW 300 mW

频率 50 MHz - -

额定电压(DC) -300 V - -200 V

额定电流 -500 mA - -500 mA

针脚数 3 - -

耗散功率 300 mW - -

额定功率(Max) 300 mW - 300 mW

直流电流增益(hFE) 25 - -

长度 2.9 mm 2.9 mm -

宽度 1.3 mm 1.3 mm -

高度 0.94 mm 1 mm -

封装 SOT-23-3 SOT-23 SOT-23-3

产品生命周期 Active End of Life Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

ECCN代码 EAR99 - -

香港进出口证 NLR - -