FCP20N60、FCP20N60_F080、TK20D60U(Q)对比区别
型号 FCP20N60 FCP20N60_F080 TK20D60U(Q)
描述 SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 (SMPS) 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin(3+Tab) TO-220AB RailTOSHIBA TK20D60U(Q) Power MOSFET, N Channel, 20A, 600V, 165mohm, 10V, 3V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) Toshiba (东芝)
分类 中高压MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 20.0 A - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.15 Ω - 0.165 Ω
极性 N-Channel N-CH N-Channel
耗散功率 208 W 208W (Tc) 190 W
阈值电压 5 V - 3 V
输入电容 3.08 nF - -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V - 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V - -
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 20A -
上升时间 140 ns - 80 ns
输入电容(Ciss) 3080pF @25V(Vds) 3080pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 208 W - -
下降时间 65 ns - 100 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ - 55 ℃
耗散功率(Max) 208W (Tc) 208W (Tc) -
通道数 - - 1
长度 10.1 mm - 10.16 mm
宽度 4.7 mm - 4.45 mm
高度 9.4 mm - 15.1 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Unknown -
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -
ECCN代码 EAR99 - -