FCP20N60_F080
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FCP20N60_F080中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 208W Tc
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20A
输入电容Ciss 3080pF @25VVds
耗散功率Max 208W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
外形尺寸
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
FCP20N60_F080引脚图与封装图
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在线购买FCP20N60_F080
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FCP20N60_F080 | Fairchild 飞兆/仙童 | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 搜索库存 |
替代型号FCP20N60_F080
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FCP20N60_F080 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： TO-220AB N-CH 600V 20A | 当前型号 | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3Pin3+Tab TO-220AB Rail | 当前型号 |
| 型号： FCP20N60 品牌： 飞兆/仙童 封装： TO-220 N-Channel 600V 20A 190mohms | 类似代替 | SuperFET® 和 SuperFET® II N 通道 MOSFET，Fairchild SemiconductorFairchild 使用超级结技术增加了 SuperFET® II 高电压功率 MOSFET 系列。 它提供最佳坚固主体二极管性能，适用于要求高功率密度、系统效率和可靠性的交流-直流开关模式电源 SMPS 应用，如服务器、电信、计算、工业电源、UPS/ESS、太阳能逆变器和照明应用。 利用先进的电荷平衡技术，设计人员可实现更高效经济的高性能解决方案，可占用更少板空间并提高可靠性。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。 | FCP20N60_F080和FCP20N60的区别 |