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KSH3055TF、MJD3055TF、MJD3055对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSH3055TF MJD3055TF MJD3055

描述 NPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  MJD3055TF  单晶体管 双极, NPN, 60 V, 2 MHz, 1.75 W, 10 A, 5 hFE互补功率晶体管DPAK对于表面贴装应用 Complementary Power Transistors DPAK For Surface Mount Applications

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V

额定电流 5.00 A 10.0 A 10.0 A

极性 NPN NPN N-Channel

耗散功率 1.75 W 1.75 W 20 W

增益频宽积 - - 2 MHz

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20

最大电流放大倍数(hFE) 100 - 100

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 20 W 20 W 1750 mW

频率 2 MHz 2 MHz -

针脚数 - 3 -

集电极击穿电压 - 70.0 V -

直流电流增益(hFE) - 5 -

长度 6.6 mm 6.6 mm 6.73 mm

宽度 6.1 mm 6.1 mm 6.22 mm

高度 2.3 mm 2.3 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99