PSMN030-150P、PSMN030-150P,127、IRF9630对比区别

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型号 PSMN030-150P PSMN030-150P,127 IRF9630

描述 N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistorN沟道 VDS=150V VGS=±20V ID=55.5A P=250W6.5A, 200V, 0.8ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) Nexperia (安世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole -

引脚数 - 3 -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

耗散功率 - 250 W -

输入电容 3.68 nF 3680 pF -

漏源极电压(Vds) 150 V 150 V -

上升时间 - 71 ns -

输入电容(Ciss) 3680pF @25V(Vds) 3680pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 250 W 250 W -

下降时间 - 76 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 250W (Tc) -

额定电压(DC) 150 V - -

额定电流 55.5 A - -

栅电荷 98.0 nC - -

连续漏极电流(Ids) 55.5 A - -

长度 - 10.3 mm -

宽度 - 4.7 mm -

高度 - 9.4 mm -

封装 SOT-78 TO-220-3 -

材质 - Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Rail -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Lead Free