PSMN030-150P
数据手册.pdf
NXP
恩智浦
分立器件
PSMN030-150P中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 150 V
额定电流 55.5 A
输入电容 3.68 nF
栅电荷 98.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 55.5 A
输入电容Ciss 3680pF @25VVds
额定功率Max 250 W
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 SOT-78
外形尺寸
封装 SOT-78
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
PSMN030-150P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买PSMN030-150P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| PSMN030-150P | NXP 恩智浦 | N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor | 搜索库存 |
替代型号PSMN030-150P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： PSMN030-150P 品牌： NXP 恩智浦 封装： SOT-78 150V 55.5A 3.68nF | 当前型号 | N沟道晶体管的TrenchMOS N-channel TrenchMOS transistor | 当前型号 |
| 型号： PSMN030-150P,127 品牌： 安世 封装： | 功能相似 | N沟道 VDS=150V VGS=±20V ID=55.5A P=250W | PSMN030-150P和PSMN030-150P,127的区别 |
| 型号： IRFU9214PBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： IPak | 功能相似 | Trans MOSFET P-CH 250V 2.7A 3Pin3+Tab IPAK | PSMN030-150P和IRFU9214PBF的区别 |