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UC3843BD1G、UC3843BVD1G、E-UC3842BD1对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 UC3843BD1G UC3843BVD1G E-UC3842BD1

描述 ON SEMICONDUCTOR  UC3843BD1G  芯片, 脉宽调制控制器, 电流模式, 25V, 8-SOICUC3843B 系列 30 V 275 kHz 高性能 电流模式 控制器 - SOIC-8Current Mode PWM Controller 1A 8Pin SO N

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 PWM控制器PWM控制器DC/DC转换器

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

频率 52 kHz 52 kHz -

电源电压(DC) 12.0V (min) 12.0V (min) -

工作电压 7.6V ~ 36V - -

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -

输出接口数 1 1 1

输入电压(DC) 30.0 V 30.0 V -

输出电压 13.4 V 13.4 V 4.90V ~ 5.10V

输出电流 200 mA 200 mA 1000 mA

供电电流 17 mA 12 mA -

针脚数 8 - -

耗散功率 702 mW 0.702 W -

上升时间 50 ns 50 ns 50 ns

开关频率 500 kHz 500 kHz 500kHz (MAX)

拓扑结构 Flyback Flyback -

占空比 96 % 96 % 96 %

最大占空比 96 % 96 % 100 %

下降时间 50 ns 50 ns 50 ns

工作温度(Max) 70 ℃ 105 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃ 40 ℃

耗散功率(Max) 702 mW 702 mW -

电源电压 7.6V ~ 30V 7.6V ~ 30V 11.5V ~ 25V

电源电压(Max) 25 V 25 V -

电源电压(Min) 12 V 12 V -

输入电压 2.5 V - -

长度 5 mm 5 mm -

宽度 4 mm 4 mm -

高度 1.5 mm 1.5 mm -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 105℃ -40℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -