MJD2955、MJD2955G、MJD2955T4G对比区别

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型号 MJD2955 MJD2955G MJD2955T4G

描述 互补功率晶体管 Complementary Power TransistorsMJD 系列 60 V 10 A PNP 互补 功率晶体管 - TO-252-3ON SEMICONDUCTOR  MJD2955T4G  Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, -60 V, 2 MHz, 1.75 W, -10 A, 5 hFE 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

频率 - 2 MHz 2 MHz

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -10.0 A -10.0 A -10.0 A

针脚数 - 3 3

极性 PNP PNP N-Channel, P-Channel

耗散功率 - 1.75 W 1.75 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

集电极最大允许电流 10A 10A 10A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V 20 @4A, 4V

额定功率(Max) 1.75 W 1.75 W 1.75 W

直流电流增益(hFE) - 2 5

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 1750 mW 1750 mW 1750 mW

最大电流放大倍数(hFE) 100 - -

热阻 - 6.25℃/W (RθJC) -

长度 - 6.73 mm 6.73 mm

宽度 - - 6.22 mm

高度 - 2.38 mm 2.38 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

材质 Silicon Silicon Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

最小包装 2500 - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 - No SVHC -

ECCN代码 - EAR99 EAR99